 04.12.17 21:13 | طريقة لتحسين الأنابيب النانونية في الإلكترونيات رقم المشاركة : ( 1 ) |
مشرف
 إحصائيةالعضو | | أنا عراقي بس كتلوني |  | | عدد المساهمات : 5616 | | نقاط : 112740 |  |
|
| موضوع: طريقة لتحسين الأنابيب النانونية في الإلكترونيات طريقة لتحسين الأنابيب النانونية في الإلكترونيات
لعلماء الروس يجدون طريقة لصناعة أنابيب نانونية قد تساهم في خلق الجيل القادم من الإلكترونيات
وجد العلماء من معهد سكولكوفو للعلوم والتكنولوجيا سوية مع مركز أبحاث "آي بي إمIBM " الذي يحمل اسم توماس جون واتسون، أن الأنابيب النانوية السيليكونية التي Jتأخذ الشكل السطحي تحت وطأة ضغط المعدن ممكن تجنيبها ذلك عبر طرق جديدة وفقا لما ذكره المكتب الصحفي لمعهد سولكوفو يوم 21/ 11/ 2017.
دراسة المتخصصين الروس والتي يمكن أن تساعد في خلق جيل جديد من الإلكترونيات عبر استخدام الكربون بدلا من السيليكون نشرت في جورنال " Physical Review Letters".
وترى الدراسة أن جميع الأجهزة الإلكترونية تقريبا، يدخل في تكوينها ميكرو -السيليكون بدءا من الهاتف وانتهاء بالطائرة، وأن مادة السيليكون وصلت تقريبا إلى حدها الأقصى، كما تتزايد الصعوبة في جعل ترازستورات السليكون أن تعمل بشكل أسرع من خلال تقليل أحجامها.
وتقول الدراسة أن السيليكون ممكن استبداله بأنابيب الكربون النانوية، أي يعني بطبقة من الجرافين بسمك الذرة الواحدة، تكون ملفوفة أو مطوية في الأنبوب مما يزيد في مقاومتها.
"مقاومة القناة من أنابيب الكربون النانونية أفضل من مثيلتها بنفس الطول من السيليكون"وفقا لما يقول رئيس قسم الأبحاث في معهد سولكوفو البروفيسور فاسيلي بيريبينوس.
لقد كشفت الدراسة بأن المقاومة تزداد، ويرجع ذلك إلى حقيقة أن المعدن الذي يستخدم في الترانزستورات ونتيجة الضغط يجعل الأنبوب سطحيا. ووفقا للباحثين من أجل تصنيع الترانزستورات من الضروري استخدام أنابيب ذات قطر أصغر، وبالتالي ستبقى الأنابيب تحافظ أكثر على دائرتها القطرية ، هذا إضافة إلى إمكانية استخدام معدن ذي ضغط أقل سطحيا. |
| |  |
